机译:原子层沉积Al2O3与掺硅InAlN界面处导带附近界面态密度分布的测量
机译:原子层沉积Al_2O_3与掺杂硅的InAlN之间界面导带附近的界面态密度分布的测量
机译:用于原子层沉积Al2O3(010)(Al0.14ga0.86)(2)O-3的价沉积Al2O3的价和导电带偏移
机译:通过超薄原子层沉积的Al_2O_3中间层控制血浆-CVD SiO_2 / Inaln接口
机译:利用C-V和寿命测量手段研究电子束蒸发过程中Al2O3 / Si晶片界面的辐射损伤
机译:氢化非晶硅基材料中的电子漂移迁移率测量和导带尾态(锗和碳合金的影响)。
机译:X射线光电子能谱研究原子层沉积Al2O3 / Zn0.8Al0.2O异质结中的能带偏移测量
机译:原子层沉积的Al2O3和ZnO壳层改善了ZnO纳米棒阵列的近带边缘和深层发射的特性